Waren-Nr.: 3103448

Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Ohne Kühlkörper - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 4 TB, intern, datenübertragungsrate: 7450 MB/s (lesen) / 6900 MB/s (schreiben), IOPS: 1400000 IOPS (lesen) / 1550000 IOPS (schreiben), 4GB LPDDR4 RAM, größe: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 verbindung, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Hardware-Verschlüsselung: 256 bit / TCG Opal, Samsung Pascal S4LV008 controller, schwarz: sort

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The Samsung 990 PRO solid state drive combines high capacity storage, rapid data transfer speeds, and advanced security features into a reliable and efficient storage solution. With a 4 TB capacity, it offers ample space for large digital libraries, while the PCI Express 4.0 x4 (NVMe) interface ensures swift data access and transfer speeds of up to 7450 MBps read and 6900 MBps write. Advanced security is provided through 256-bit AES hardware encryption, protecting sensitive data against unauthorized access. Additionally, features like Dynamic Thermal Guard protection and low power consumption modes ensure the drive operates efficiently and safely, making it an ideal choice for demanding applications and multitasking environments.

Hersteller
Waren-Nr.
3103448
Modell
MZ-V9P4T0BW
EAN
8806094947205
Zum Hersteller:
Kontaktieren Sie den Hersteller
Produktbeschreibung
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
22 mm x 80 mm x 2.3 mm
Gewicht
9 g

Allgemein

Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, Geräte-Schlafunterstützung, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T.
Breite
22 mm
Tiefe
80 mm
Höhe
2.3 mm
Gewicht
9 g

Leistung

Interner Datendurchsatz
7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1600000 IOPS

Zuverlässigkeit

MTBF
1,500,000 Stunden

Erweiterung und Konnektivität

Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280

Stromversorgung

Energieverbrauch
5.5 watt (Durchschnitt)
55 mW (Leerlauf)

Software & Systemanforderungen

Software inbegriffen
Samsung Magician Software

Verschiedenes

Kennzeichnung
IEEE 1667

Umgebungsbedingungen

Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb)
0,5 ms Sinushalbwellen
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g

Die genannten Informationen und Spezifikationen können vom Hersteller jederzeit und ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die Herstellerabbildungen dienen ausschließlich der Veranschaulichung. Irrtümer und Schreibfehler bleiben vorbehalten. Deutsche Bedienungsanleitungen sind in einigen Fällen ausschließlich digital verfügbar und nicht Bestandteil des Lieferumfangs. Teile des Textes wurden möglicherweise automatisiert erstellt oder maschinell übersetzt und können daher in Einzelfällen missverständlich sein.