Waren-Nr.: 3198219

Samsung 990 Pro SSD - 4TB - Mit Kühlkörper - M.2 2280 - PCIe 4.0

SSD (Solid State Drive), 4 TB, intern, datenübertragungsrate: 7450 MB/s (lesen) / 6900 MB/s (schreiben), IOPS: 1400000 IOPS (lesen) / 1550000 IOPS (schreiben), 4GB LPDDR4 RAM, größe: M.2 2280 (80mm), PCI-Express 4.0 x4 verbindung, NVMe 2.0 (Non-Volatile Memory Express), Hardware-Verschlüsselung: 256 bit / TCG Opal, DirectStorage kompatibel, Samsung Pascal S4LV008 controller, Hinweis! Großverpackt (ohne Zubehör), schwarz: weiß

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The Samsung 990 PRO solid state drive combines high-capacity storage, fast speeds, and advanced security measures to meet the needs of demanding data environments. With a 4 TB capacity and a 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, it offers ample space and quick access to your data. The drive's PCI Express 4.0 x4 (NVMe) interface ensures rapid data transfer rates, making it ideal for intensive applications and multitasking.

Designed for durability, the Samsung 990 PRO features an integrated heatsink to maintain optimal temperatures and supports S.M.A.R.T., TRIM, and Device Sleep technologies for enhanced efficiency and longevity. Its 256-bit AES hardware encryption and TCG Opal Encryption 2.0 provide secure data protection, making it a trustworthy choice for sensitive information. Whether for professional or personal use, this SSD delivers performance, reliability, and security.

Hersteller
Waren-Nr.
3198219
Modell
MZ-V9P4T0CW / GW
EAN
8806094946857
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Produktbeschreibung
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0GW - SSD - 4 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Typ
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Integrierter Kühlkörper
Ja
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Geräte-Schlafunterstützung, Garbage Collection-Technologie, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
25 mm x 80.15 mm x 8.88 mm
Gewicht
28 g

Allgemein

Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
4 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-Bit-AES
Integrierter Kühlkörper
Ja
Formfaktor
M.2 2280
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Merkmale
TRIM-Unterstützung, Geräte-Schlafunterstützung, Garbage Collection-Technologie, Samsung V-NAND TLC Technology, 4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, S.M.A.R.T.
Breite
25 mm
Tiefe
80.15 mm
Höhe
8.88 mm
Gewicht
28 g

Leistung

Interner Datendurchsatz
7450 MBps (lesen)/ 6900 MBps (Schreiben)
Maximal 4 KB Random Write
1550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read
1600000 IOPS

Zuverlässigkeit

MTBF
1,500,000 Stunden

Erweiterung und Konnektivität

Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 2280

Stromversorgung

Energieverbrauch
6.5 Watt (Durchschnitt)
55 mW (Leerlauf)

Software & Systemanforderungen

Software inbegriffen
Samsung Magician Software

Verschiedenes

Kennzeichnung
IEEE 1667

Umgebungsbedingungen

Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g

Die genannten Informationen und Spezifikationen können vom Hersteller jederzeit und ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die Herstellerabbildungen dienen ausschließlich der Veranschaulichung. Irrtümer und Schreibfehler bleiben vorbehalten. Deutsche Bedienungsanleitungen sind in einigen Fällen ausschließlich digital verfügbar und nicht Bestandteil des Lieferumfangs. Teile des Textes wurden möglicherweise automatisiert erstellt oder maschinell übersetzt und können daher in Einzelfällen missverständlich sein.