Waren-Nr.: 3521711

Kioxia CD9P-V Series KCD9DPJE1T60 - SSD - Mixed Use - 1600 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)

SSD, Mixed Use, verschlüsselt, 1600 GB, intern, E3.S (E3.S), PCI Express 5.0 x4 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)

2.966,70 € 2.472,25 € exkl. MwSt.
Günstigste Versandoption 6,99 €
Bestellware. 14-16 Tage Lieferzeit

Das KIOXIA CD9P-V-Modell KCD9DPJE1T60 ist ein internes Solid-State-Laufwerk mit hoher Kapazität, das für gemischte Einsatzbereiche in Rechenzentren und Unternehmensanwendungen entwickelt wurde. Es bietet reaktionsschnelle Leistung für anspruchsvolle Workloads und kombiniert einen hohen sequenziellen und zufälligen Durchsatz mit einer Kapazität von 1.600 GB, um große Datensätze und intensive Lese-/Schreibvorgänge zu unterstützen. Das Laufwerk verfügt über Funktionen zur Gewährleistung von Langlebigkeit und Zuverlässigkeit wie Stromausfallschutz, durchgängigen Datenschutz, Selbstverschlüsselung sowie eine MTBF von 2.500.000 Stunden, um die Datenintegrität und -verfügbarkeit im Dauerbetrieb zu gewährleisten. Mit PCI-Express-5.0-x4-Anschluss (NVMe) und einem kompakten E3.S-Formfaktor bietet das Laufwerk einen platzsparenden Upgrade-Pfad für Systeme, die eine schnellere Speicherleistung sowie einen sicheren und langlebigen Betrieb über einen breiten Temperatur- und Feuchtigkeitsbereich hinweg benötigen.

Hersteller
Waren-Nr.
3521711
Modell
KCD9DPJE1T60
EAN
4582761163201
Zum Hersteller:
Kontaktieren Sie den Hersteller
Produktbeschreibung
KIOXIA CD9P-V Series KCD9DPJE1T60 - SSD - Mixed Use - 1600 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Typ
Solid State Drive - intern
Kapazität
1600 GB
Hardwareverschlüsselung
Ja
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
E3.S (E3.S)
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Laufwerkklasse
Mixed Use
Merkmale
NVM Express (NVMe) 2.0, BiCS-Flash, Stromausfallschutz (SAS), End-to-End-Datenschutz
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm
Gewicht
110 g

Allgemein

Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
1600 GB
Hardwareverschlüsselung
Ja
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
E3.S (E3.S)
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Merkmale
NVM Express (NVMe) 2.0, BiCS-Flash, Stromausfallschutz (SAS), End-to-End-Datenschutz
Breite
76 mm
Tiefe
112.75 mm
Höhe
7.5 mm
Gewicht
110 g

Leistung

Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
3
Laufwerkklasse
Mixed Use
Interner Datendurchsatz
14500 MBps (lesen)/ 3600 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
2000000 IOPS
4 KB Random Write
310000 IOPS

Zuverlässigkeit

MTBF
2,500,000 Stunden

Erweiterung und Konnektivität

Schnittstellen
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
E3.S (E3.S)

Stromversorgung

Erforderliche Netzspannung
12 V
Energieverbrauch
23 watt (aktiv)
5 watt (Leerlauf)

Umgebungsbedingungen

Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
76 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95% RH
Schocktoleranz (in Betrieb)
1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz

Die genannten Informationen und Spezifikationen können vom Hersteller jederzeit und ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die Herstellerabbildungen dienen ausschließlich der Veranschaulichung. Irrtümer und Schreibfehler bleiben vorbehalten. Deutsche Bedienungsanleitungen sind in einigen Fällen ausschließlich digital verfügbar und nicht Bestandteil des Lieferumfangs. Teile des Textes wurden möglicherweise automatisiert erstellt oder maschinell übersetzt und können daher in Einzelfällen missverständlich sein.