Waren-Nr.: 3521727
Kioxia CD9P-R Series KCD9DPJE30T7 - SSD - Data Centre Read Intensive - 30720 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
SSD, Rechenzentrum, Leseintensiv, verschlüsselt, 30720 GB, intern, E3.S (E3.S), PCI Express 5.0 x4 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)
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Die KIOXIA CD9P-R-Serie KCD9DPJE30T7 ist eine NVMe-SSD für Rechenzentren mit hoher Kapazität und hohem Leseaufkommen, die zuverlässigen Speicher für anspruchsvolle Unternehmensanwendungen bietet. Der E3.S-Formfaktor und die PCI-Express-5.0-x4-Schnittstelle sorgen für eine kompakte Bauweise bei hohem Durchsatz und unterstützen schnellen sequenziellen sowie zufälligen Zugriff auf große Datensätze und Analysen. Mit 30.720 GB 3D-TLC-BiCS-Flash und einer internen Datenrate, die schnelle Lese- und kontinuierliche Schreibvorgänge unterstützt, trägt das Laufwerk dazu bei, Latenzzeiten zu reduzieren und die Datenverarbeitung zu beschleunigen.Das Laufwerk wurde im Hinblick auf Langlebigkeit und Datenintegrität entwickelt und verfügt über einen Stromausfallschutz, durchgängigen Datenschutz sowie selbstverschlüsselnde Funktionen zum Schutz kritischer Informationen. Die Betriebssicherheit wird durch einen breiten Temperaturbereich, hohe Stoß- und Vibrationsfestigkeit sowie eine MTBF von 2.500.000 Stunden gewährleistet, wodurch es für den Dauerbetrieb im Rechenzentrum geeignet ist. Das Laufwerk vereint zudem Leistung und Effizienz durch einen moderaten Stromverbrauch im Betriebs- und Ruhezustand sowie eine 1-DWPD-Bewertung für vorhersehbare Lebensdauer in leseintensiven Einsatzszenarien.
Hersteller
Waren-Nr.
3521727
Modell
KCD9DPJE30T7
EAN
4582761163195
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Produktbeschreibung
KIOXIA CD9P-R Series KCD9DPJE30T7 - SSD - Rechenzentrum, Leseintensiv - 30720 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Typ
Solid State Drive - intern
Kapazität
30720 GB
Hardwareverschlüsselung
Ja
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
E3.S (E3.S)
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Laufwerkklasse
Rechenzentrum, Leseintensiv
Merkmale
NVM Express (NVMe) 2.0, BiCS-Flash, Stromausfallschutz (SAS), End-to-End-Datenschutz
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm
Gewicht
110 g
Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
30720 GB
Hardwareverschlüsselung
Ja
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
E3.S (E3.S)
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Merkmale
NVM Express (NVMe) 2.0, BiCS-Flash, Stromausfallschutz (SAS), End-to-End-Datenschutz
Breite
76 mm
Tiefe
112.75 mm
Höhe
7.5 mm
Gewicht
110 g
Leistung
Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Laufwerkklasse
Rechenzentrum, Leseintensiv
Interner Datendurchsatz
13500 MBps (lesen)/ 7000 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
2600000 IOPS
4 KB Random Write
270000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
2,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
E3.S (E3.S)
Stromversorgung
Erforderliche Netzspannung
12 V
Energieverbrauch
23 watt (aktiv)
5 watt (Leerlauf)
5 watt (Leerlauf)
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
76 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95% RH
Schocktoleranz (in Betrieb)
1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz
Die genannten Informationen und Spezifikationen können vom Hersteller jederzeit und ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die Herstellerabbildungen dienen ausschließlich der Veranschaulichung. Irrtümer und Schreibfehler bleiben vorbehalten. Deutsche Bedienungsanleitungen sind in einigen Fällen ausschließlich digital verfügbar und nicht Bestandteil des Lieferumfangs. Teile des Textes wurden möglicherweise automatisiert erstellt oder maschinell übersetzt und können daher in Einzelfällen missverständlich sein.