Waren-Nr.: 3521712

Kioxia CD9P-R Series KCD9DPJE1T92 - SSD - Data Centre Read Intensive - 1920 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)

SSD, Rechenzentrum, Leseintensiv, verschlüsselt, 1920 GB, intern, E3.S (E3.S), PCI Express 5.0 x4 (NVMe), Self-Encrypting Drive (SED)

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Die KCD9DPJE1T92 aus der KIOXIA CD9P-R-Serie ist eine SSD für Rechenzentren, die für leseintensive Workloads entwickelt wurde, die einen zuverlässigen Speicher mit hohem Durchsatz erfordern. Sie bietet schnelle NVMe-Leistung über eine PCI-Express-5.0-x4-Schnittstelle, um groß angelegte Lesevorgänge zu beschleunigen, und verfügt gleichzeitig über eine Kapazität von 1,92 TB zur Unterstützung umfangreicher Datensätze. Dank des E3.S-Formfaktors und der robusten Umgebungsbeständigkeit eignet sich das Laufwerk für dicht bestückte Rack-Umgebungen, in denen Platzersparnis und Langlebigkeit entscheidend sind.Integrierte Datenschutzfunktionen wie End-to-End-Datenschutz, Stromausfallschutz und Hardwareverschlüsselung nach dem Self-Encrypting-Drive-Prinzip tragen zum Schutz gespeicherter Informationen bei und vereinfachen die Einhaltung von Sicherheitsvorschriften. Mit Zuverlässigkeit auf Enterprise-Niveau, einer hohen MTBF-Rate und einer für leseintensive Anwendungen ausgelegten Lebensdauer richtet sich das Laufwerk an Betreiber, die in Produktionsrechenzentren konstante Leistung, effiziente Energieausnutzung und langfristige Betriebsfähigkeit benötigen.

Hersteller
Waren-Nr.
3521712
Modell
KCD9DPJE1T92
EAN
4582761163157
Zum Hersteller:
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Produktbeschreibung
KIOXIA CD9P-R Series KCD9DPJE1T92 - SSD - Rechenzentrum, Leseintensiv - 1920 GB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Typ
Solid State Drive - intern
Kapazität
1920 GB
Hardwareverschlüsselung
Ja
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
E3.S (E3.S)
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Laufwerkklasse
Rechenzentrum, Leseintensiv
Merkmale
NVM Express (NVMe) 2.0, BiCS-Flash, Stromausfallschutz (SAS), End-to-End-Datenschutz
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe)
76 mm x 112.75 mm x 7.5 mm
Gewicht
110 g

Allgemein

Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
1920 GB
Hardwareverschlüsselung
Ja
NAND-Flash-Speichertyp
3D triple-level cell (TLC)
Formfaktor
E3.S (E3.S)
Schnittstelle
PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Merkmale
NVM Express (NVMe) 2.0, BiCS-Flash, Stromausfallschutz (SAS), End-to-End-Datenschutz
Breite
76 mm
Tiefe
112.75 mm
Höhe
7.5 mm
Gewicht
110 g

Leistung

Laufwerkaufzeichnungen pro Tag
1
Laufwerkklasse
Rechenzentrum, Leseintensiv
Interner Datendurchsatz
14500 MBps (lesen)/ 3600 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
2000000 IOPS
4 KB Random Write
160000 IOPS

Zuverlässigkeit

MTBF
2,500,000 Stunden

Erweiterung und Konnektivität

Schnittstellen
1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
E3.S (E3.S)

Stromversorgung

Erforderliche Netzspannung
12 V
Energieverbrauch
23 watt (aktiv)
5 watt (Leerlauf)

Umgebungsbedingungen

Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
76 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95% RH
Schocktoleranz (in Betrieb)
1000 g @ 0,5 ms
Vibrationstoleranz (in Betrieb)
2.17 gRMS @ 5-800 Hz

Die genannten Informationen und Spezifikationen können vom Hersteller jederzeit und ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die Herstellerabbildungen dienen ausschließlich der Veranschaulichung. Irrtümer und Schreibfehler bleiben vorbehalten. Deutsche Bedienungsanleitungen sind in einigen Fällen ausschließlich digital verfügbar und nicht Bestandteil des Lieferumfangs. Teile des Textes wurden möglicherweise automatisiert erstellt oder maschinell übersetzt und können daher in Einzelfällen missverständlich sein.